一種變頻式黃金美容棒的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種變頻式黃金美容棒，所述變頻式黃金美容棒包括一美容棒本體，及設(shè)置在所述美容棒本體內(nèi)的電路板，其中，所述電路板包括：用于將電壓變化轉(zhuǎn)化為頻率變化的控制模塊；用于接收外部的控制信號(hào)控制馬達(dá)工作的使能模塊；所述控制模塊連接所述使能模塊。本實(shí)用新型提供的變頻式黃金美容棒，可以通過尾部旋鈕，調(diào)整可變電位器，通過MCU芯片判斷可變電位器上的電壓變化，從而轉(zhuǎn)換成頻率的變化，通過高頻M0S管，控制馬達(dá)的震動(dòng)頻率，從而實(shí)現(xiàn)了美容棒的變頻。
【專利說(shuō)明】 一種變頻式黃金美容棒

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及美容器具【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種變頻式黃金美容棒。

【背景技術(shù)】
[0002]人體體內(nèi)原本存在著規(guī)則又平衡的自然電流，然而隨著人們工作壓力的增大或者年齡的增長(zhǎng)，引起了人們自身體內(nèi)自然電流的不規(guī)則變化，這也是造成人們肌膚產(chǎn)生黑斑、肌膚松弛等老化現(xiàn)象的主要原兇。美容棒是人們常用的美容用品，不同年齡段的人，不同人的皮膚，甚至同一個(gè)人在不同的季節(jié)，對(duì)頻率的震動(dòng)喜好都是各不相同的，但當(dāng)前市場(chǎng)上美容棒都是不可變頻的，并不能適應(yīng)所有人群。
[0003]因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，本實(shí)用新型的目的在于提供一種變頻式黃金美容棒，以解決現(xiàn)有技術(shù)中美容棒都不可變頻的問題。
[0005]為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采取了以下技術(shù)方案:
[0006]一種變頻式黃金美容棒，所述變頻式黃金美容棒包括一美容棒本體,及設(shè)置在所述美容棒本體內(nèi)的電路板，其中，所述電路板包括:
[0007]用于將電壓變化轉(zhuǎn)化為頻率變化的控制模塊；
[0008]用于接收外部的頻率變化信號(hào)控制馬達(dá)轉(zhuǎn)速的使能模塊；
[0009]所述控制模塊連接所述使能模塊。
[0010]所述的變頻式黃金美容棒，其中，所述控制模塊包括MCU芯片、第一電阻、第二電阻、第一電容和可調(diào)電位器；所述MCU芯片的VDD端通過第一電阻連接電源端、還通過第一電容接地，MCU芯片的GP3/MCLR/VPP端連接可調(diào)電位器的第2腳和第3腳，可調(diào)電位器的第I腳和第4腳接地、第2腳還通過第二電阻連接MCU芯片的VDD端，MCU芯片的GP2/T0CK1端連接所述使能模塊，MCU芯片的GND端接地。
[0011]所述的變頻式黃金美容棒，其中，所述使能模塊包括第一 MOS管和第三電阻；所述第一 MOS管的柵極連接MCU芯片的GP2/T0CK1端，第一 MOS管的源極連接電源端、還通過第三電阻連接MCU芯片的GP2/T0CK1端，第一 MOS管的漏極為輸出端。
[0012]所述的變頻式黃金美容棒，其中，所述第一電容為濾波電容。
[0013]所述的變頻式黃金美容棒，其中，所述第一電阻的阻值為5R。
[0014]所述的變頻式黃金美容棒，其中，所述第二電阻為分壓電阻，第二電阻的阻值為470千歐。
[0015]所述的變頻式黃金美容棒，其中，所述MCU芯片為PIC12F508型號(hào)或MDT10P53型號(hào)的MCU芯片。
[0016]所述的變頻式黃金美容棒，其中，所述第一 MOS管為PMOS管。
[0017]所述的變頻式黃金美容棒，其中，所述第三電阻為上拉電阻，第三電阻的阻值為4.7千歐。
[0018]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型提供的變頻式黃金美容棒，可以通過尾部旋鈕，調(diào)整可變電位器，通過MCU芯片判斷可變電位器上的電壓變化，從而轉(zhuǎn)換成頻率的變化，通過高頻MOS管，控制馬達(dá)的震動(dòng)頻率，從而實(shí)現(xiàn)了美容棒的變頻。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1為本實(shí)用新型所述變頻式黃金美容棒的結(jié)構(gòu)框圖。
[0020]圖2為本實(shí)用新型所述變頻式黃金美容棒中控制模塊的電路圖。
[0021]圖3為本實(shí)用新型所述變頻式黃金美容棒中使能模塊的電路圖。

【具體實(shí)施方式】
[0022]本實(shí)用新型提供一種變頻式黃金美容棒，為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及效果更加清楚、明確，以下參照附圖并舉實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0023]請(qǐng)參閱圖1，其為本實(shí)用新型所述變頻式黃金美容棒的結(jié)構(gòu)框圖，其包括一美容棒本體100，及設(shè)置在所述美容棒本體內(nèi)的電路板200。所述電路板包括控制模塊210和使能模塊220，且所述控制模塊210連接所述使能模塊220。
[0024]其中，所述控制模塊210用于將電壓變化轉(zhuǎn)化為頻率變化，所述使能模塊220用于接收外部的頻率變化信號(hào)控制馬達(dá)轉(zhuǎn)速。
[0025]請(qǐng)同時(shí)參見圖2，其為本實(shí)用新型所述變頻式黃金美容棒中控制模塊的電路圖。在具體實(shí)施過程中，所述控制模塊310包括MCU芯片Ul、第一電阻R1、第二電阻R2、第一電容Cl和可調(diào)電位器Kl ;所述MCU芯片Ul的VDD端通過第一電阻Rl連接電源端VCC、還通過第一電容Cl接地，MCU芯片Ul的GP3/MCLR/VPP端連接可調(diào)電位器Kl的第2腳和第3腳，可調(diào)電位器Kl的第I腳和第4腳接地、第2腳還通過第二電阻R2連接MCU芯片Ul的VDD端，MCU芯片Ul的GP2/T0CK1端連接所述使能模塊220，MCU芯片Ul的GND端接地。具體實(shí)施時(shí)所述MCU芯片為PIC12F508型號(hào)或MDT10P53型號(hào)的MCU芯片，可調(diào)電位器Kl為TD-24EA型號(hào)的電位器。
[0026]具體的，電源端提供3V的工作電壓。當(dāng)所述控制模塊210接通3V的工作電壓時(shí)，通過MCU芯片Ul的GP3/MCLR/VPP端檢測(cè)可變電位器Kl的電阻值變化，根據(jù)可變電位器Kl阻值的變化調(diào)整PWM(Pulse Width Modulat1n，脈沖寬度調(diào)制)的頻率，從而實(shí)現(xiàn)變頻。本實(shí)用新型中，馬達(dá)的轉(zhuǎn)速范圍為0-7500r/min。
[0027]其中，第一電阻Rl和第一電容Cl為電源端濾波電路，能減少電源部分所引入的尖峰對(duì)MCU芯片Ul產(chǎn)生的誤差影響。最優(yōu)的，所述第一電阻Rl的阻值為5R，所述第一電容Cl的電容值為I微法。
[0028]第二電阻R2為分壓電阻，能分擔(dān)可變電位器Kl的部分電壓，使可變電位器Kl兩端的電壓在其額定電壓范圍之內(nèi)。最優(yōu)的，所述第二電阻R2的阻值為470千歐。
[0029]請(qǐng)參見圖3，其為本實(shí)用新型所述變頻式黃金美容棒中使能模塊的電路圖。在具體實(shí)施過程中，所述使能模塊220包括第一 MOS管Ml和第三電阻R3 ;所述第一 MOS管Ml的柵極連接MCU芯片Ul的GP2/T0CK1端，第一 MOS管Ml的源極連接電源端VCC、還通過第三電阻R3連接MCU芯片Ul的GP2/T0CK1端，第一 MOS管Ml的漏極為輸出端OUT。
[0030]具體實(shí)施時(shí)，所述第一 MOS管Ml為A03401型號(hào)的PMOS管，主要起開關(guān)作用。當(dāng)?shù)谝?MOS管Ml的柵極輸入的控制信號(hào)為低電平時(shí)，該第一 MOS管Ml導(dǎo)通，使第一 MOS管Ml漏極連接的馬達(dá)開始工作；當(dāng)?shù)谝?MOS管Ml的柵極輸入的控制信號(hào)為高電平，第一 MOS管Ml截止，將不會(huì)再影響電源端的輸入電平。
[0031]綜上所述，本實(shí)用新型公開了一種變頻式黃金美容棒，所述變頻式黃金美容棒包括一美容棒本體，及設(shè)置在所述美容棒本體內(nèi)的電路板，其中，所述電路板包括:用于將電壓變化轉(zhuǎn)化為頻率變化的控制模塊；用于接收外部的控制信號(hào)控制馬達(dá)工作的使能模塊；所述控制模塊連接所述使能模塊。本實(shí)用新型提供的變頻式黃金美容棒，可以通過尾部旋鈕，調(diào)整可變電位器，通過MCU芯片判斷可變電位器上的電壓變化，從而轉(zhuǎn)換成頻率的變化，通過高頻MOS管，控制馬達(dá)的震動(dòng)頻率，從而實(shí)現(xiàn)了美容棒的變頻。
[0032]可以理解的是，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)方案及其實(shí)用新型構(gòu)思加以等同替換或改變，而所有這些改變或替換都應(yīng)屬于本實(shí)用新型所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種變頻式黃金美容棒，所述變頻式黃金美容棒包括一美容棒本體，及設(shè)置在所述美容棒本體內(nèi)的電路板，其特征在于，所述電路板包括: 用于將電壓變化轉(zhuǎn)化為頻率變化的控制模塊； 用于接收外部的頻率變化信號(hào)控制馬達(dá)轉(zhuǎn)速的使能模塊； 所述控制模塊連接所述使能模塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變頻式黃金美容棒，其特征在于，所述控制模塊包括MCU芯片、第一電阻、第二電阻、第一電容和可調(diào)電位器；所述MCU芯片的VDD端通過第一電阻連接電源端、還通過第一電容接地，MCU芯片的GP3/MCLR/VPP端連接可調(diào)電位器的第2腳和第3腳，可調(diào)電位器的第I腳和第4腳接地、第2腳還通過第二電阻連接MCU芯片的VDD端，MCU芯片的GP2/T0CK1端連接所述使能模塊，MCU芯片的GND端接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的變頻式黃金美容棒，其特征在于，所述使能模塊包括第一MOS管和第三電阻；所述第一 MOS管的柵極連接MCU芯片的GP2/T0CK1端，第一 MOS管的源極連接電源端、還通過第三電阻連接MCU芯片的GP2/T0CK1端，第一 MOS管的漏極為輸出端。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的變頻式黃金美容棒，其特征在于，所述第一電容為濾波電容。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的變頻式黃金美容棒，其特征在于，所述第一電阻的阻值為5R。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的變頻式黃金美容棒，其特征在于，所述第二電阻為分壓電阻，第二電阻的阻值為470千歐。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的變頻式黃金美容棒，其特征在于，所述MCU芯片為PIC12F508型號(hào)或MDT10P53型號(hào)的MCU芯片。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的變頻式黃金美容棒，其特征在于，所述第一MOS管為PMOS管。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的變頻式黃金美容棒，其特征在于，所述第三電阻為上拉電阻，第三電阻的阻值為4.7千歐。
【文檔編號(hào)】A61H23/02GK204016810SQ201420411028
【公開日】2014年12月17日 申請(qǐng)日期:2014年7月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月24日
【發(fā)明者】廖植生 申請(qǐng)人:深圳市思肯三維科技發(fā)展有限公司