專利名稱：磁共振成像裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實(shí)施方式涉及磁共振成像裝置。
背景技術(shù)：
磁共振成像裝置通過(guò)施加傾斜磁場(chǎng)，從而對(duì)從被檢體放射出的磁共振信號(hào)提供位置信息，并根據(jù)該位置信息來(lái)重建圖像。然而，磁共振成像裝置脈沖(pulse)狀地施加傾斜磁場(chǎng)。因此，在存在于傾斜磁場(chǎng)線圈(coil)的周圍的導(dǎo)體(例如靜磁場(chǎng)磁鐵的熱擋板(shield)等)中會(huì)發(fā)生渦電流，并 由發(fā)生的渦電流來(lái)生成磁場(chǎng)(以下，渦流磁場(chǎng))。由于該渦流磁場(chǎng)作用于抑制傾斜磁場(chǎng)的變化的方向上，并使傾斜磁場(chǎng)的波形變形，因此，如果考慮基于渦流磁場(chǎng)的影響而不進(jìn)行波形的校正，則在由磁共振信號(hào)而重建的圖像中產(chǎn)生劣化。由于這樣，近年來(lái)，使用有校正傾斜磁場(chǎng)的波形的“渦流校正”?！皽u流校正”是對(duì)于理想的傾斜磁場(chǎng)的波形，進(jìn)行使用了預(yù)先準(zhǔn)備的渦流校正參數(shù)(parameter)(強(qiáng)度、時(shí)間常數(shù))的計(jì)算，其結(jié)果輸出校正后的波形。傾斜磁場(chǎng)電源按照該校正后的波形來(lái)施加傾斜磁場(chǎng)。于是，通過(guò)渦流磁場(chǎng)與傾斜磁場(chǎng)重疊，傾斜磁場(chǎng)的波形接近于理想的波形。在此，在渦流磁場(chǎng)中存在時(shí)間常數(shù)長(zhǎng)的情況與短的情況，但目前，使圖像產(chǎn)生劣化的渦流磁場(chǎng)被認(rèn)為是時(shí)間常數(shù)長(zhǎng)的情況。并且，由于較長(zhǎng)的時(shí)間常數(shù)的渦流磁場(chǎng)在攝像范圍的所有位置中大致產(chǎn)生相同的影響，因此，渦流校正參數(shù)例如準(zhǔn)備對(duì)準(zhǔn)磁場(chǎng)中心的參數(shù)，并根據(jù)該渦流校正參數(shù)，來(lái)進(jìn)行所有位置中的校正。但是，不必在攝像范圍的所有位置中都進(jìn)行適當(dāng)?shù)販u流校正，例如，在偏離磁場(chǎng)中心的位置中，存在在圖像中生成變形等劣化的情況。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的課題在于提供一種可以適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行渦流校正的磁共振成像裝置。實(shí)施方式的磁共振成像裝置具備存儲(chǔ)部、渦流校正部、傾斜磁場(chǎng)電源。存儲(chǔ)部針對(duì)每個(gè)攝像的位置存儲(chǔ)對(duì)基于渦流磁場(chǎng)的影響進(jìn)行校正的渦流校正參數(shù)。渦流校正部接受按照攝像條件而計(jì)算的傾斜磁場(chǎng)的波形，并對(duì)于接受到的傾斜磁場(chǎng)的波形，進(jìn)行基于根據(jù)位置而選擇的渦流校正參數(shù)的計(jì)算，并對(duì)于傾斜磁場(chǎng)電源輸出作為計(jì)算結(jié)果而得到的校正后的波形。傾斜磁場(chǎng)電源接受校正后的波形，并按照校正后的波形施加傾斜磁場(chǎng)。根據(jù)實(shí)施方式的磁共振成像裝置，可以適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行渦流校正。


圖I是表示第I實(shí)施方式涉及的MRI裝置的結(jié)構(gòu)的框(block)圖。圖2A是用于說(shuō)明第I實(shí)施方式中的渦流磁場(chǎng)的影響的圖。圖2B是用于說(shuō)明第I實(shí)施方式中的渦流磁場(chǎng)的影響的圖。圖3是用于說(shuō)明第I實(shí)施方式中的渦流校正參數(shù)的圖。圖4是用于說(shuō)明第I實(shí)施方式中的渦流校正參數(shù)的圖。圖5是用于說(shuō)明第I實(shí)施方式中的渦流校正參數(shù)的圖。圖6是表示第I實(shí)施方式涉及的序列(sequence)控制部的結(jié)構(gòu)的框圖。圖7是用于說(shuō)明對(duì)第I實(shí)施方式中的脈沖序列的適用性的圖。
圖8是表示第2實(shí)施方式涉及的序列控制部的結(jié)構(gòu)的框圖。圖9是表示第3實(shí)施方式涉及的序列控制部的結(jié)構(gòu)的框圖。
具體實(shí)施例方式(第I實(shí)施方式)第I實(shí)施方式涉及的磁共振成像裝置(以下，MRI (MagneticResonance Imaging)裝置)針對(duì)每個(gè)攝像的位置準(zhǔn)備渦流校正參數(shù)，并根據(jù)位置來(lái)校正傾斜磁場(chǎng)的波形。以下，在簡(jiǎn)單地說(shuō)明了第I實(shí)施方式涉及的MRI裝置的結(jié)構(gòu)之后，針對(duì)第I實(shí)施方式中的渦流校正詳細(xì)進(jìn)行說(shuō)明。圖I是表示第I實(shí)施方式涉及的MRI裝置100的結(jié)構(gòu)的框圖。靜磁場(chǎng)磁鐵I形成中空的圓筒狀，并在內(nèi)部的空間中產(chǎn)生一樣的靜磁場(chǎng)。靜磁場(chǎng)磁鐵I例如是永久磁鐵、超導(dǎo)磁鐵等。傾斜磁場(chǎng)線圈2形成中空的圓筒狀，并在內(nèi)部的空間中產(chǎn)生傾斜磁場(chǎng)。具體而言，傾斜磁場(chǎng)線圈2被配置在靜磁場(chǎng)磁鐵I的內(nèi)側(cè)，從傾斜磁場(chǎng)電源3來(lái)接受電流的供給，發(fā)生傾斜磁場(chǎng)。傾斜磁場(chǎng)電源3按照從序列控制部10發(fā)送的控制信號(hào)，對(duì)傾斜磁場(chǎng)線圈2供給電流。床4具備載置被檢體P的頂板4a，將頂板4a以載置有被檢體P的狀態(tài)插入傾斜磁場(chǎng)線圈2的空洞(攝像口)內(nèi)。通常，床4被設(shè)置成長(zhǎng)度方向與靜磁場(chǎng)磁鐵I的中心軸平行。床控制部5驅(qū)動(dòng)床4，使頂板4a向長(zhǎng)度方向及上下方向移動(dòng)。發(fā)送線圈6發(fā)生高頻磁場(chǎng)。具體而言，發(fā)送線圈6被配置在傾斜磁場(chǎng)線圈2的內(nèi)偵1J,從發(fā)送部7來(lái)接受高頻脈沖(RF (Radio Frequency)脈沖)的供給,發(fā)生高頻磁場(chǎng)。發(fā)送部7按照從序列控制部10發(fā)送的控制信號(hào)，并對(duì)發(fā)送線圈6發(fā)送與拉莫爾(Larmor)頻率對(duì)應(yīng)的RF脈沖。接收線圈8接收磁共振信號(hào)(以下,MR(Magnetic Resonance)信號(hào))。具體而言，接收線圈8被配置在傾斜磁場(chǎng)線圈2的內(nèi)側(cè)，并通過(guò)高頻磁場(chǎng)的影響接收從被檢體P放射出的MR信號(hào)。另外，接收線圈8對(duì)接收部9輸出接收到的MR信號(hào)。接收部9按照從序列控制部10發(fā)送的脈沖序列執(zhí)行數(shù)據(jù)，根據(jù)從接收線圈8輸出的MR信號(hào)來(lái)生成MR信號(hào)數(shù)據(jù)。具體而言，接收部9通過(guò)將從接收線圈8輸出的MR信號(hào)進(jìn)行數(shù)字轉(zhuǎn)換，來(lái)生成MR信號(hào)數(shù)據(jù)，并將生成的MR信號(hào)數(shù)據(jù)經(jīng)由序列控制部10發(fā)送至計(jì)算機(jī)系統(tǒng)20。序列控制部10控制傾斜磁場(chǎng)電源3、發(fā)送部7、及接收部9。具體而言，序列控制部10將根據(jù)從計(jì)算機(jī)系統(tǒng)20發(fā)送出的脈沖序列執(zhí)行數(shù)據(jù)的控制信號(hào)發(fā)送至傾斜磁場(chǎng)電源3、發(fā)送部7、及接收部9。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)20具備接口部21、圖像重建部22、存儲(chǔ)部23、輸入部24、顯示部25、控制部26。接口部21與序列控制部10連接，控制在序列控制部10與計(jì)算機(jī)系統(tǒng)20之間發(fā)送接收的數(shù)據(jù)的輸入輸出。圖像重建部22根據(jù)從序列控制部10發(fā)送出的MR信號(hào)數(shù)據(jù)來(lái)重建圖像數(shù)據(jù)，并將重建的圖像數(shù)據(jù)(data)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部23中。存儲(chǔ)部23存儲(chǔ)由圖像重建部22存儲(chǔ)的圖像數(shù)據(jù)或在MRI裝置100中使用的其他數(shù)據(jù)。例如，存儲(chǔ)部23是RAM (Random Access Memory)、閃存(flash memory) 等半導(dǎo)體存儲(chǔ)元件、硬盤(pán)(hard disc)、光盤(pán)等。輸入部24由操作者來(lái)接受用于決定渦流校正參數(shù)的操作、攝像條件的輸入或攝像指示等。例如，輸入部24是鼠標(biāo)(mouse)或軌跡球(trackball)等定位(pointing)設(shè)備(device)、模式(mode)切換開(kāi)關(guān)(switch)等選擇設(shè)備、鍵盤(pán)(keyboard)等輸入設(shè)備。顯示部25顯示圖像數(shù)據(jù)等。例如，顯示部25是液晶顯示器等顯示設(shè)備。控制部26通過(guò)控制上述各部來(lái)總括地控制MRI裝置100。例如，控制部26是ASIC(Application Specific Integrated Circuit)、FPGA(Field Programmable GateArray)等集成電路、CPU(CentralProcessing Unit)、MPU(Micro Processing Unit)等電子電路。在此，簡(jiǎn)單地說(shuō)明從接受攝像條件到施加傾斜磁場(chǎng)的流程。在第I實(shí)施方式中，如果控制部26由操作者來(lái)接受攝像條件的輸入，則根據(jù)接受到的攝像條件來(lái)生成脈沖序列執(zhí)行數(shù)據(jù)，并將生成的脈沖序列執(zhí)行數(shù)據(jù)發(fā)送至序列控制部10。于是，序列控制部10首先生成用于輸出按照脈沖序列執(zhí)行數(shù)據(jù)的理想的傾斜磁場(chǎng)的波形的控制信號(hào)。接著，序列控制部10對(duì)于理想的傾斜磁場(chǎng)的波形進(jìn)行使用了渦流校正參數(shù)的計(jì)算，作為計(jì)算結(jié)果得到校正后的波形。并且，序列控制部10將用于輸出校正后的波形的控制信號(hào)(傾斜磁場(chǎng)的強(qiáng)度、定時(shí)(timing)等)發(fā)送至傾斜磁場(chǎng)電源3。傾斜磁場(chǎng)電源3按照該控制信號(hào)，施加傾斜磁場(chǎng)。圖2A及圖2B是用于說(shuō)明第I實(shí)施方式中的渦流磁場(chǎng)的影響的圖。圖2A是按照脈沖序列執(zhí)行數(shù)據(jù)的理想的傾斜磁場(chǎng)的波形的例子。如果對(duì)于該理想的傾斜磁場(chǎng)的波形施加渦流磁場(chǎng)的影響，則例如，如圖2B所示，傾斜磁場(chǎng)的波形會(huì)發(fā)生變形。另外，在該變形中，如圖2B所示，包含受到時(shí)間常數(shù)長(zhǎng)的渦流磁場(chǎng)的影響的變形(在圖2B中“長(zhǎng)時(shí)間常數(shù)”)與受到時(shí)間常數(shù)短的渦流磁場(chǎng)的影響的變形(在圖2B中“短時(shí)間常數(shù)”)。目前，使圖像發(fā)生劣化的渦流磁場(chǎng)被認(rèn)為時(shí)間常數(shù)較長(zhǎng)。第I實(shí)施方式涉及的MRI裝置100針對(duì)每個(gè)位置都準(zhǔn)備用于校正時(shí)間常數(shù)短的渦流磁場(chǎng)的渦流校正參數(shù)，并對(duì)每個(gè)位置進(jìn)行校正。簡(jiǎn)單地說(shuō)明其理由。例如，在對(duì)準(zhǔn)磁場(chǎng)中心而準(zhǔn)備的渦流校正參數(shù)中，不必在攝像范圍的所有位置中都進(jìn)行適當(dāng)?shù)販u流校正，例如，在偏離磁場(chǎng)中心的位置中，存在在圖像中發(fā)生劣化的情況。這是與“由于正是長(zhǎng)的時(shí)間常數(shù)(以下，長(zhǎng)時(shí)間常數(shù))的渦流磁場(chǎng)使圖像劣化，長(zhǎng)時(shí)間常數(shù)的渦流磁場(chǎng)在攝像范圍的所有位置中大致施加相同的影響”的考慮相反的結(jié)果。另外，在FSE(Fast Spin Echo)、FASE (Fast Asymmetric Spin Echo)等高速的脈沖序列中，存在該現(xiàn)象變得顯著的傾向。在此，高速的脈沖序列使傾斜磁場(chǎng)的強(qiáng)度較強(qiáng)，傾斜磁場(chǎng)的施加與MR信號(hào)的收集的間隔較短。如果這樣，考慮趁著短的時(shí)間常數(shù)(以下，短時(shí)間常數(shù))的渦流磁場(chǎng)的影響沒(méi)有被抵消，收集MR信號(hào)，推斷沒(méi)有對(duì)MR信號(hào)施加短時(shí)間常數(shù)的渦流磁場(chǎng)的影響。由于這樣，第I實(shí)施方式涉及的MRI裝置100針對(duì)每個(gè)位置準(zhǔn)備用于校正時(shí)間常數(shù)較短的渦流磁場(chǎng)的渦流校正參數(shù)，并對(duì)每個(gè)位置進(jìn)行校正。圖3 5是用于說(shuō)明第I實(shí)施方式中的渦流校正參數(shù)的圖。第I實(shí)施方式涉及的MRI裝置100預(yù)先準(zhǔn)備每個(gè)攝像的位置的渦流校正參數(shù)。例如，如圖3所示，在頂板4a上配置多個(gè)模型(phantom)，并將該頂板4a插入傾斜磁場(chǎng)線圈2的空洞內(nèi)，進(jìn)行基于代表性的脈沖序列的實(shí)驗(yàn)性的攝像。在該實(shí)驗(yàn)性的攝像中，通過(guò)試行基于各種渦流校正參數(shù)的渦流校正，測(cè)定對(duì)收集到的MR信號(hào)施加的影響，并進(jìn)行調(diào)整，從而決定適當(dāng)?shù)臏u流校正參數(shù)。例如，如圖3所示，通過(guò)在z軸方向上配置多個(gè)模型，依次將各模型進(jìn)行攝像，并試行基于各種渦流校正參數(shù)的渦流校正，從而，例如，針對(duì)模型的每個(gè)位置，決定短時(shí)間常數(shù)的渦流校正參數(shù)。例如，將“短時(shí)間常數(shù)參數(shù)a” “短時(shí)間常數(shù)參數(shù)e”決定為短時(shí)間常數(shù) 的渦流校正參數(shù)。另一方面，在第I實(shí)施方式中，長(zhǎng)時(shí)間常數(shù)的渦流校正參數(shù)使用在所有的位置中共通的參數(shù)。例如，使用對(duì)準(zhǔn)磁場(chǎng)中心而準(zhǔn)備的長(zhǎng)時(shí)間常數(shù)的渦流校正參數(shù)。因此，如圖3所示，每個(gè)攝像的位置的渦流校正參數(shù)變?yōu)椤啊岸虝r(shí)間常數(shù)參數(shù)a” “長(zhǎng)時(shí)間常數(shù)參數(shù)(共通)””的組(set) ““短時(shí)間常數(shù)參數(shù)e” “長(zhǎng)時(shí)間常數(shù)參數(shù)(共通)””的組。另外，在上述說(shuō)明中，作為在z軸方向上配置多個(gè)模型，針對(duì)z軸方向的每個(gè)位置來(lái)決定短時(shí)間常數(shù)的渦流校正參數(shù)的例子進(jìn)行了說(shuō)明，但實(shí)施方式并不限定于此。例如，如圖4所示，在X軸方向或y軸方向上也配置多個(gè)模型，不僅可以針對(duì)z軸方向的每個(gè)位置，還可以針對(duì)X軸方向或y軸方向的每個(gè)位置決定短時(shí)間常數(shù)的渦流校正參數(shù)。另外，例如，如圖5所示，也可以以切片(slice)單位來(lái)決定短時(shí)間常數(shù)的渦流校正參數(shù)。另外，也可以以I個(gè)切片所包含的線單位來(lái)決定短時(shí)間常數(shù)的渦流校正參數(shù)。即，理論上，由于至少能夠根據(jù)MR信號(hào)的收集單位來(lái)決定I個(gè)渦流校正參數(shù)，因此，也可以針對(duì)其任意的單位的每個(gè)位置，決定渦流校正參數(shù)。圖6是表示第I實(shí)施方式涉及的序列控制部10的結(jié)構(gòu)的框圖。RF脈沖輸出部Ilb如果從計(jì)算機(jī)系統(tǒng)20來(lái)接收脈沖序列執(zhí)行數(shù)據(jù)，則生成用于輸出根據(jù)該脈沖序列執(zhí)行數(shù)據(jù)的RF脈沖的控制信號(hào)，并將生成的控制信號(hào)發(fā)送至發(fā)送部7。傾斜磁場(chǎng)輸出部Ila如果從計(jì)算機(jī)系統(tǒng)20來(lái)接收脈沖序列執(zhí)行數(shù)據(jù)，則生成用于輸出根據(jù)該脈沖序列執(zhí)行數(shù)據(jù)的理想的波形的控制信號(hào)(傾斜磁場(chǎng)的強(qiáng)度、定時(shí)等)，并將生成的控制信號(hào)逐次發(fā)送至渦流校正(長(zhǎng)時(shí)間常數(shù))計(jì)算部12c及渦流校正(短時(shí)間常數(shù))計(jì)算部12d。長(zhǎng)時(shí)間常數(shù)參數(shù)存儲(chǔ)部12a存儲(chǔ)預(yù)先準(zhǔn)備的長(zhǎng)時(shí)間常數(shù)參數(shù)。在第I實(shí)施方式中，長(zhǎng)時(shí)間常數(shù)的渦流校正參數(shù)使用在所有位置中共通的參數(shù)。另一方面，短時(shí)間常數(shù)參數(shù)存儲(chǔ)部12b存儲(chǔ)針對(duì)攝像范圍的每個(gè)位置而預(yù)先準(zhǔn)備的短時(shí)間常數(shù)參數(shù)。例如，短時(shí)間常數(shù)參數(shù)存儲(chǔ)部12b存儲(chǔ)“短時(shí)間常數(shù)參數(shù)I” “短時(shí)間常數(shù)參數(shù)5”。渦流校正(長(zhǎng)時(shí)間常數(shù))計(jì)算部12c如果從傾斜磁場(chǎng)輸出部Ila來(lái)接收用于輸出理想的波形的控制信號(hào)，則從長(zhǎng)時(shí)間常數(shù)參數(shù)存儲(chǔ)部12a來(lái)讀出“長(zhǎng)時(shí)間常數(shù)參數(shù)”，并使用讀出的“長(zhǎng)時(shí)間常數(shù)參數(shù)”進(jìn)行計(jì)算。具體而言，渦流校正(長(zhǎng)時(shí)間常數(shù))計(jì)算部12c通過(guò)對(duì)于傾斜磁場(chǎng)的理想的波形進(jìn)行使用了“長(zhǎng)時(shí)間常數(shù)參數(shù)”的計(jì)算，從而生成用于輸出校正后的波形的控制信號(hào)。并且，渦流校正(長(zhǎng)時(shí)間常數(shù))計(jì)算部12c將生成的控制信號(hào)，SP，將用于輸出校正后的波形的控制信號(hào)發(fā)送至渦流校正計(jì)算部12e。另外，在“長(zhǎng)時(shí)間常數(shù)參數(shù)”中包含強(qiáng)度或時(shí)間常數(shù)，用于校正的計(jì)算使用該強(qiáng)度或時(shí)間常數(shù)來(lái)進(jìn)行。另外，用于該校正的計(jì)算使用公知的技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。另一方面，渦流校正(短時(shí)間常數(shù))計(jì)算部12d如果從傾斜磁場(chǎng)輸出部Ila來(lái)接收用于輸出理想的波形的控制信號(hào)，則從被存儲(chǔ)在短時(shí)間常數(shù)參數(shù)存儲(chǔ)部12b中的多個(gè)“短時(shí)間常數(shù)參數(shù)”，來(lái)選擇根據(jù)攝像對(duì)象的位置的“短時(shí)間常數(shù)參數(shù)”，并讀出選擇的“短時(shí)間常數(shù)參數(shù)”。例如，渦流校正(短時(shí)間常數(shù))計(jì)算部12d如果是第I個(gè)TR(TimeofRepetition)則選擇“短時(shí)間常數(shù)參數(shù)1”，如果是第5個(gè)TR則選擇“短時(shí)間常數(shù)參數(shù)5”。并且，渦流校正(短時(shí)間常數(shù))計(jì)算部12d使用讀出的“短時(shí)間常數(shù)參數(shù)”來(lái)進(jìn)行計(jì)算。具體而言，渦流校正(短時(shí)間常數(shù))計(jì)算部12d通過(guò)對(duì)于傾斜磁場(chǎng)的理想的波形進(jìn)行使用了“短時(shí)間常數(shù)參數(shù)”的計(jì)算，來(lái)生成用于輸出校正后的波形的控制信號(hào)。并且，渦流校正(短時(shí)間常數(shù))計(jì)算部12d將生成的控制信號(hào)，S卩，用于輸出校正后的波形的控制信號(hào)發(fā)送至渦流校正計(jì)算部12e。 另外，在“短時(shí)間常數(shù)參數(shù)”中包含強(qiáng)度或時(shí)間常數(shù)，用于校正的計(jì)算使用該強(qiáng)度或時(shí)間常數(shù)來(lái)進(jìn)行。另外，用于該校正的計(jì)算使用公知的技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。渦流校正計(jì)算部12e如果分別從渦流校正(長(zhǎng)時(shí)間常數(shù))計(jì)算部12c及渦流校正(短時(shí)間常數(shù))計(jì)算部12d來(lái)接收控制信號(hào)，則將這些進(jìn)行合計(jì)，并生成用于輸出校正后的波形的最終的控制信號(hào)。并且，渦流校正計(jì)算部12e將生成的最終的控制信號(hào)發(fā)送至傾斜磁場(chǎng)電源3。于是,傾斜磁場(chǎng)電源3根據(jù)控制信號(hào),來(lái)施加按照校正后的波形的傾斜磁場(chǎng)。在此，用于輸出理想的波形的控制信號(hào)從傾斜磁場(chǎng)輸出部Ila逐次發(fā)送至渦流校正(長(zhǎng)時(shí)間常數(shù))計(jì)算部12c及渦流校正(短時(shí)間常數(shù))計(jì)算部12d。因此，渦流校正(長(zhǎng)時(shí)間常數(shù))計(jì)算部12c及渦流校正(短時(shí)間常數(shù))計(jì)算部12d將逐次進(jìn)行使用了“長(zhǎng)時(shí)間常數(shù)參數(shù)”或“短時(shí)間常數(shù)參數(shù)”的計(jì)算，并將用于輸出校正后的波形的控制信號(hào)逐次發(fā)送至渦流校正計(jì)算部12e。并且，渦流校正計(jì)算部12e也逐次生成最終的控制信號(hào)，并逐次發(fā)送至傾斜磁場(chǎng)電源3。換而言之,實(shí)時(shí)(real time)進(jìn)行從傾斜磁場(chǎng)輸出部Ila輸出控制信號(hào)，直到傾斜磁場(chǎng)電源3施加傾斜磁場(chǎng)為止的處理。另外，說(shuō)明這樣實(shí)時(shí)進(jìn)行的理由。由于用于輸出傾斜磁場(chǎng)的波形的控制信號(hào)通常根據(jù)攝像條件而不同，因此，大多在開(kāi)始檢查之后生成。但是，由于其量膨大，因此，不怎么運(yùn)用直到檢查開(kāi)始后，攝像開(kāi)始前預(yù)先進(jìn)行準(zhǔn)備。這是由于盡管開(kāi)始了檢查，但怎么也不開(kāi)始進(jìn)行攝像。由于這樣的理由，如果在運(yùn)用上沒(méi)有問(wèn)題，則不需要特別實(shí)時(shí)地進(jìn)行。然后，在圖3中，將“長(zhǎng)時(shí)間常數(shù)的參數(shù)”、與針對(duì)每個(gè)攝像的位置準(zhǔn)備的“短時(shí)間常數(shù)的參數(shù)”的位置單位的組稱為“渦流校正參數(shù)的組”。在第I實(shí)施方式中，進(jìn)一步，將該位置單位的多個(gè)“渦流校正參數(shù)的組”一起進(jìn)行管理。例如，如圖6所示，為“頭部攝像用渦流校正參數(shù)組”、“腹部攝像用渦流校正參數(shù)組”、“下肢攝像用渦流校正參數(shù)組”等。控制部26所具有的參數(shù)選擇部27根據(jù)從操作者輸入的攝像條件，來(lái)選擇根據(jù)攝像條件預(yù)先進(jìn)行分類的渦流校正參數(shù)的組。例如，參數(shù)選擇部27根據(jù)攝像條件，來(lái)判定要執(zhí)行的攝像是“頭部攝像”，并選擇“頭部攝像用渦流校正參數(shù)組”。并且，參數(shù)選擇部27將為了使用“頭部攝像用渦流校正參數(shù)組”而通知的控制信號(hào)發(fā)送至渦流校正(長(zhǎng)時(shí)間常數(shù))計(jì)算部12c及渦流校正(短時(shí)間常數(shù))計(jì)算部12d。渦流校正(長(zhǎng)時(shí)間常數(shù))計(jì)算部12c及渦流校正(短時(shí)間常數(shù))計(jì)算部12d如果接收該控制信號(hào)，則選擇“頭部攝像用渦流校正參數(shù)組”，并在渦流校正的計(jì)算中，使用該“頭部攝像用渦流校正參數(shù)組”所包含的渦流校正參數(shù)。另外，渦流校正參數(shù)組的分類并不限定于此，例如，也可以根據(jù)脈沖序列的種類來(lái)進(jìn)行分類。另外，渦流校正參數(shù)組的選擇也可以直接從操作者來(lái)接受。圖7是用于說(shuō)明第I實(shí)施方式中的對(duì)脈沖序列的適用性的圖。在圖7中，在I個(gè)序列中例如包含5TR。在ITR中，將I個(gè)切片進(jìn)行攝像，或者還是將I條線進(jìn)行攝像，根據(jù)脈沖序列的種類而不同。在任一情況下，如果在每個(gè)TR中攝像的位置發(fā)生改變，則假設(shè)如果以與TR的單位相同的單位為單位，來(lái)準(zhǔn)備“短時(shí)間常數(shù)參數(shù)”，則如圖7所示，適用在每個(gè)TR中不同的“短時(shí)間常數(shù)參數(shù)”。例如，假設(shè)“短時(shí)間常數(shù)參數(shù)”以切片單位來(lái)準(zhǔn)備，另一方面，為在ITR中將I個(gè)切片進(jìn)行攝像的脈沖序列。此時(shí)，渦流校正(短時(shí)間常數(shù))計(jì)算部12d在每個(gè)TR中，也可以選擇根據(jù)該切片位置的“短時(shí)間常數(shù)參數(shù)”。另外，也可以在I個(gè)序列內(nèi)再次選擇一次選擇的“短時(shí)間常數(shù)參數(shù)”。另外，由于在ITR與ITR之間存在若干空余時(shí)間，因此，被認(rèn)為基于 在某TR中進(jìn)行的“短時(shí)間常數(shù)參數(shù)”的校正的影響沒(méi)有波及下一 TR中的傾斜磁場(chǎng)。即，在每個(gè)TR中也可以適用不同的“短時(shí)間常數(shù)參數(shù)”。如上述那樣，根據(jù)第I實(shí)施方式，由于針對(duì)每個(gè)攝像的位置準(zhǔn)備短時(shí)間常數(shù)的渦流校正參數(shù)，并根據(jù)位置來(lái)校正傾斜磁場(chǎng)的波形，因此，可以適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行渦流校正。例如，由于即使在偏離磁場(chǎng)中心的位置的攝像中也可以適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行渦流校正，因此，將能夠抑制圖像的劣化，得到穩(wěn)定的圖像。(第2實(shí)施方式)第2實(shí)施方式涉及的MRI裝置100除了以下特別敘述的事項(xiàng)，具有與第I實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)。圖8是表示第2實(shí)施方式涉及的序列控制部10的結(jié)構(gòu)的框圖。圖8所示，第2實(shí)施方式涉及的序列控制部10在渦流校正部12中具有每個(gè)“短時(shí)間常數(shù)參數(shù)”的多個(gè)渦流校正(短時(shí)間常數(shù))計(jì)算部12d。并且，各渦流校正(短時(shí)間常數(shù))計(jì)算部12d分開(kāi)進(jìn)行使用了對(duì)應(yīng)的“短時(shí)間常數(shù)參數(shù)”的計(jì)算。在第I實(shí)施方式中，基于渦流校正(短時(shí)間常數(shù))計(jì)算部12d的計(jì)算從傾斜磁場(chǎng)輸出部Ila來(lái)接收用于輸出理想的波形的控制信號(hào)，并在選擇了“短時(shí)間常數(shù)參數(shù)”之后開(kāi)始。此時(shí)，從接收用于輸出理想的波形的控制信號(hào)到生成校正后的控制信號(hào)的時(shí)間變長(zhǎng)。對(duì)此，在第2實(shí)施方式中，渦流校正(短時(shí)間常數(shù))計(jì)算部12d時(shí)常進(jìn)行使用了對(duì)應(yīng)的“短時(shí)間常數(shù)參數(shù)”的計(jì)算，并時(shí)常輸出計(jì)算結(jié)果。例如，如圖7所示，假設(shè)在I個(gè)序列包含5TR時(shí)，在各TR中，理想的傾斜磁場(chǎng)的波形相同。另一方面，由于在每個(gè)TR中攝像位置不同，因此，渦流校正所應(yīng)該使用的“短時(shí)間常數(shù)參數(shù)”也不同。在此，在執(zhí)行第I個(gè)ITR的階段中，各渦流校正(短時(shí)間常數(shù))計(jì)算部12d可以把握ITR份的理想的傾斜磁場(chǎng)的波形。因此，例如，與“短時(shí)間常數(shù)參數(shù)2”對(duì)應(yīng)的渦流校正(短時(shí)間常數(shù))計(jì)算部12d在正在執(zhí)行第I個(gè)ITR時(shí)，預(yù)先進(jìn)行使用了“短時(shí)間常數(shù)參數(shù)2”的計(jì)算，并生成控制信號(hào)。同樣地，例如，與“短時(shí)間常數(shù)參數(shù)3”對(duì)應(yīng)的渦流校正(短時(shí)間常數(shù))計(jì)算部12d也在正在執(zhí)行第I個(gè)ITR時(shí)，預(yù)先進(jìn)行使用了“短時(shí)間常數(shù)參數(shù)3”的計(jì)算，并生成控制信號(hào)。另外，渦流校正(長(zhǎng)時(shí)間常數(shù))計(jì)算部12d也至少在第2個(gè)ITR以后，也可以保持在第I個(gè)ITR中已經(jīng)計(jì)算了的計(jì)算結(jié)果。通過(guò)這樣并列地進(jìn)行計(jì)算，將大幅度縮短從接收用于輸出理想的波形的控制信號(hào)到生成校正后的控制信號(hào)為止的時(shí)間，并縮短基于渦流校正部12的處理時(shí)間。假設(shè)即使在ITR與ITR之間的空余時(shí)間較短的情況下，也能夠適用。另外，在第2實(shí)施方式中，說(shuō)明了渦流校正部12具有與“短時(shí)間常數(shù)參數(shù)”的數(shù)量相同的渦流校正(短時(shí)間常數(shù))計(jì)算部12d的例子。但是，實(shí)施方式并不限定于此。即使在不必具有與“短時(shí)間常數(shù)參數(shù)”的數(shù)量相同的渦流校正(短時(shí)間常數(shù))計(jì)算部12d的情況下，例如，兩個(gè)渦流校正(短時(shí)間常數(shù))計(jì)算部12d也可以相互先行地進(jìn)行用于下一 TR的計(jì)算，并事前保持計(jì)算結(jié)果。如上述那樣，根據(jù)第2實(shí)施方式，在渦流校正部12具有每個(gè)“短時(shí)間常數(shù)參數(shù)”的多個(gè)渦流校正(短時(shí)間常數(shù))計(jì)算部12d，各渦流校正(短時(shí)間常數(shù))計(jì)算部12d分開(kāi)進(jìn)行使用了對(duì)應(yīng)的“短時(shí)間常數(shù)參數(shù)”的計(jì)算，因此，可以大幅度地縮短處理時(shí)間。 (第3實(shí)施方式)第3實(shí)施方式涉及的MRI裝置100除了以下特別記載的事項(xiàng)，具有與第I實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)。圖9是表示第3實(shí)施方式涉及的序列控制部10的結(jié)構(gòu)的框圖。如圖9所示，第3實(shí)施方式涉及的序列控制部10將針對(duì)每個(gè)攝像的位置的“長(zhǎng)時(shí)間常數(shù)參數(shù)”存儲(chǔ)在長(zhǎng)時(shí)間常數(shù)參數(shù)存儲(chǔ)部12a中。S卩，在第I及第2實(shí)施方式中，長(zhǎng)時(shí)間常數(shù)的渦流校正參數(shù)使用了在所有的位置上共通的參數(shù)。在第3實(shí)施方式中，長(zhǎng)時(shí)間常數(shù)的渦流校正參數(shù)使用針對(duì)每個(gè)攝像的位置而不同的參數(shù)。如上述那樣，一般而言，長(zhǎng)時(shí)間常數(shù)的渦流磁場(chǎng)被認(rèn)為在攝像范圍的所有位置中大致施加相同的影響。但是，也不必?cái)嘌允峭耆嗤挠绊懀ㄟ^(guò)針對(duì)每個(gè)位置使用不同的“長(zhǎng)時(shí)間常數(shù)參數(shù)”，從而可以期待渦流校正的精度進(jìn)一步提高。由于這樣，第3實(shí)施方式涉及的序列控制部10在渦流校正部12具有每個(gè)“長(zhǎng)時(shí)間常數(shù)參數(shù)”的多個(gè)渦流校正計(jì)算部12f。另外，在第3實(shí)施方式中，如圖9所示，假設(shè)I個(gè)渦流校正計(jì)算部12f進(jìn)行使用了 “短時(shí)間常數(shù)參數(shù)”的計(jì)算與使用了 “長(zhǎng)時(shí)間常數(shù)參數(shù)”的計(jì)算。各渦流校正(長(zhǎng) 短時(shí)間常數(shù))計(jì)算部12f進(jìn)行使用了與相同的位置對(duì)應(yīng)的“短時(shí)間常數(shù)參數(shù)”的計(jì)算與使用了“長(zhǎng)時(shí)間常數(shù)參數(shù)”的計(jì)算。但是，實(shí)施方式并不限定于此，渦流校正部12也可以分別具有“短時(shí)間常數(shù)參數(shù)”用多個(gè)渦流校正計(jì)算部12f與“長(zhǎng)時(shí)間常數(shù)參數(shù)”用多個(gè)渦流校正計(jì)算部12f。如上述那樣，根據(jù)第3實(shí)施方式，進(jìn)一步針對(duì)每個(gè)攝像的位置準(zhǔn)備長(zhǎng)時(shí)間常數(shù)的渦流校正參數(shù)，并根據(jù)位置來(lái)校正傾斜磁場(chǎng)的波形，因此，可以高精度地進(jìn)行渦流校正。對(duì)本發(fā)明的若干實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但上述實(shí)施方式是作為例子而說(shuō)明的，并非意味著對(duì)本發(fā)明的范圍進(jìn)行限定。上述實(shí)施方式可在其他各種實(shí)施例中實(shí)施，并且在不脫離本發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)，可進(jìn)行各種省略、變換、變更。上述實(shí)施方式及其的變形例包含于本發(fā)明的范圍及要旨內(nèi)，并且也包含于本申請(qǐng)項(xiàng)的范圍中所揭示的發(fā)明和其均等的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種磁共振成像裝置，其特征在于，具備 存儲(chǔ)部，其針對(duì)每個(gè)攝像的位置存儲(chǔ)對(duì)基于渦流磁場(chǎng)的影響進(jìn)行校正的渦流校正參數(shù)； 渦流校正部，其接受按照攝像條件而計(jì)算的傾斜磁場(chǎng)的波形，并對(duì)于接受到的傾斜磁場(chǎng)的波形，進(jìn)行基于根據(jù)上述位置而選擇的渦流校正參數(shù)的計(jì)算，并對(duì)于傾斜磁場(chǎng)電源輸出作為計(jì)算結(jié)果而得到的校正后的波形； 傾斜磁場(chǎng)電源，其接受上述校正后的波形，并按照上述校正后的波形來(lái)施加傾斜磁場(chǎng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的磁共振成像裝置，其特征在于， 上述存儲(chǔ)部針對(duì)每個(gè)攝像的位置存儲(chǔ)對(duì)基于短時(shí)間常數(shù)的渦流磁場(chǎng)的影響進(jìn)行校正的上述渦流校正參數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁共振成像裝置，其特征在于， 上述存儲(chǔ)部還針對(duì)每個(gè)攝像的位置存儲(chǔ)對(duì)基于長(zhǎng)時(shí)間常數(shù)的渦流磁場(chǎng)的影響進(jìn)行校正的上述潤(rùn)流校正參數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的磁共振成像裝置，其特征在于， 上述渦流校正部針對(duì)每個(gè)渦流校正參數(shù)具備多個(gè)， 各渦流校正部分開(kāi)進(jìn)行使用了對(duì)應(yīng)的渦流校正參數(shù)的計(jì)算。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁共振成像裝置，其特征在于， 上述渦流校正部針對(duì)每個(gè)渦流校正參數(shù)具備多個(gè)， 各渦流校正部分開(kāi)進(jìn)行使用了對(duì)應(yīng)的渦流校正參數(shù)的計(jì)算。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁共振成像裝置，其特征在于， 上述渦流校正部針對(duì)每個(gè)渦流校正參數(shù)具備多個(gè)， 各渦流校正部分開(kāi)進(jìn)行使用了對(duì)應(yīng)的渦流校正參數(shù)的計(jì)算。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的磁共振成像裝置，其特征在于， 還具備選擇部，其根據(jù)上述攝像條件來(lái)選擇根據(jù)攝像條件而預(yù)先分類的渦流校正參數(shù)的組， 上述渦流校正部從被選擇出的上述渦流校正參數(shù)的組中，選擇根據(jù)攝像位置的渦流校正參數(shù)并進(jìn)行上述計(jì)算。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁共振成像裝置，其特征在于， 還具備選擇部，其根據(jù)上述攝像條件來(lái)選擇根據(jù)攝像條件而預(yù)先分類的渦流校正參數(shù)的組， 上述渦流校正部從被選擇出的上述渦流校正參數(shù)的組中，選擇根據(jù)攝像的位置的渦流校正參數(shù)并進(jìn)行上述計(jì)算。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁共振成像裝置，其特征在于， 還具備選擇部，其根據(jù)上述攝像條件來(lái)選擇根據(jù)攝像條件而預(yù)先分類的渦流校正參數(shù)的組， 上述渦流校正部從被選擇出的上述渦流校正參數(shù)的組中，選擇根據(jù)攝像的位置的渦流校正參數(shù)并進(jìn)行上述計(jì)算。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁共振成像裝置，其特征在于， 還具備選擇部，其根據(jù)上述攝像條件來(lái)選擇根據(jù)攝像條件而預(yù)先分類的渦流校正參數(shù)的組， 上述渦流校正部從被選擇 出的上述渦流校正參數(shù)的組中，選擇根據(jù)攝像的位置的渦流校正參數(shù)并進(jìn)行上述計(jì)算。
全文摘要
實(shí)施方式涉及磁共振成像裝置。提供一種可以適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行渦流校正的磁共振成像裝置。實(shí)施方式的磁共振成像裝置具備存儲(chǔ)部、渦流校正部、傾斜磁場(chǎng)電源。存儲(chǔ)部針對(duì)每個(gè)攝像的位置存儲(chǔ)對(duì)基于渦流磁場(chǎng)的影響進(jìn)行校正的渦流校正參數(shù)。渦流校正部接受按照攝像條件而計(jì)算的傾斜磁場(chǎng)的波形，并對(duì)于接受到的傾斜磁場(chǎng)的波形，進(jìn)行基于根據(jù)位置而選擇的渦流校正參數(shù)的計(jì)算，并對(duì)于傾斜磁場(chǎng)電源輸出作為計(jì)算結(jié)果而得到的校正后的波形。傾斜磁場(chǎng)電源接受校正后的波形，并按照校正后的波形施加傾斜磁場(chǎng)。
文檔編號(hào)A61B5/055GK102764122SQ20121005580
公開(kāi)日2012年11月7日 申請(qǐng)日期2012年3月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月7日
發(fā)明者山中正昭 申請(qǐng)人:東芝醫(yī)療系統(tǒng)株式會(huì)社, 株式會(huì)社東芝